时代全芯如何化解新数据时代的挑战

之所以能有如此准确、高效的识别率，正是数据的力量，数据尤其是大数据，作为新一轮工业革命中最为活跃的技术创新要素，正在全面重构全球生产、流通、分配、消费等领域，对全球竞争、国家治理、经济发展、产业转型、社会生活等方面产生全面深刻影响。

与源于敲键盘或者点击智能手机的传统数据时代不同，如今，数据更多的来自设备，如摄像头、传感器、激光雷达等来自动采集，数据从采集、管理和应用到最后归档的数据资产过程中，还会产生很多新的数据，如数据类型就有很大的变化，原先人们采用的都是关系型数据库，今天更多是图片、视频、音频等非结构化的数据。

根据国际数据公司IDC统计显示，全球近90%的数据将在这几年内产生，预计到2025年，全球数据量将比2016年的16.1ZB增加十倍，达到163ZB。

来源：前瞻产业研究院 

在不断的发展过程中，数据的角色也开始悄然改变，PC、互联网、消费级移动设备的兴起宣告了新数据时代的来临。央行正在进行的数字货币试点就是这样一个例子——未来人们手中持有的都是数字钱包，而货币也不再是一张张一枚枚的纸币硬币，取而代之的是纯数字化的形式，数字就是人们的资产，这个看得见但摸不着的虚拟货币就是人们的核心资产。而数据的载体就是存储器。

诚如前文所言，数据无论在数据量还是角色方便都发生了转变，这样一种转变在物联网与5G等先进技术的加持下，将会变得更加明显。

智能化时代里，万物智联，存储行业市场空间将进一步加大，对数据存储在速度、功耗、容量、可靠性层面也将提出更高要求。对于现有的存储器而言，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NOR Flash和NAND Flash读写速度低，存储密度受限于工艺制程。

市场亟待能够满足新场景的存储器产品，性能有着突破性进展的新型存储器即将迎来爆发期。有业内人士指出，新的存储技术必将取代现有存储技术，这是历史发展的必然趋势。

PCM(Phase Change Memory)即相变存储器是全球公认的最为成熟的新一代存储技术，资料显示，PCM 速度慢于 DRAM，但比 Flash 快近 1000 倍；PCM 存储密度高于 DRAM，但是比Flash 要低。目前存储器运用过程中，DRAM 和 Flash 两者在整个系统中不匹配，需要新的存储器来构建整个架构，PCM优势很多，市场有很大的需求，很多公司在推动其产业化的进程。英特尔、三星、ST等存储企业都将相变存储纳入了下一代存储的方向。

三星 2008 年基于 90nm 工艺制备 512Mb 相变存储器芯片；2011 年基于 58nm 工艺制备 1Gb 相变存储器芯片；2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片；2014 年发布相 变存储器的产业报告。

美光 2009 年基于 45nm 工艺制备 1Gb 相变存储器芯片；2011 年发布第一款基于相变存储器 的 SSD；2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产；2015 年联合 Intel 发布 3D Xpoint。

意法半导体 2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片；2010 年，发布了《通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持》；2013 年，发布了《通过材料改性工程 N-Ge-GST 实现 SET 与高低组保持的性能平衡》。

但目前全球量产相变存储产品的仅有美国的英特尔和中国的北京时代全芯存储技术股份有限公司（AMT）两家公司。

据悉，英特尔的产品主要为大容量的3D X Point产品，已广泛用于我国各大数据中心的服务器中，如百度云、阿里云、平安云、腾讯云等。根据公开数据：英特尔傲腾数据中心级持久内存的引入让平安云新平台的内存采购成本降低了22.5%—48%；英特尔傲腾数据中心级持久内存让快手Redis服务的TCO降低了30%。英特尔傲腾固态盘用于中国电信四川ABM系统后的存储性能获得显著提升，稳定性也更加优异。中兴通讯也已将英特尔傲腾128GB内存条用在其的数据中心。

而时代全芯目前的量产产品主要以中低容量的可pin to pin替换的EEPROM和NOR FLASH存储为主，同时也已经基本研发完成与英特尔傲腾产品类似的DRAM Like产品，并将与主控芯片厂商进行合作开发。未来时代全芯的大容量存储产品将应用于移动通信设备、个人电脑、数据中心等各类产品中。