NAND Flash 2020年新战场暗潮汹涌 各家布局蓄势待发
各家NAND大厂争取资料中心庞大的储存商机,2020年将进入新一波技术对决。
业界认为,随着各家大厂96层3D NAND迈入量产,2019年下半将开始进入新一代制程竞争,三星电子(Samsung Electronics)不仅将量产的第六代3D V NAND(即120/128层),旗下的Z-NAND将与东芝存储器研发的XL-Flash形成对决,并与英特尔、美光的3D XPoint抢攻资料中心的储存市场大饼。
业界指出,2020年起NAND Flash技术竞争将分为两大趋势,包括从96层技术加快推动至128层NAND,以达成更具竞争力的生产生本,另一方面,各家大 厂积极抢攻资料中心及高阶商用产品的动作更为积极,将主打特殊制程的储存级存储器,形成技术对决的新战局。
英特尔将3D XPoint/Optane存储器生产作为抢攻资料中心及服务器市场的重要布局环节,不同于其他NAND业者为了维持产品市占而提高产能,英特尔的3D XPoint作为典型的相变化存储器,其结构是一种交叉点架构,3D XPoint以两层堆栈架构打造,密度为128GB(gigabit),是介于DRAM和NAND之间的储存存储器, 比NAND快速和耐久。英特尔2018年起开始推出3D XPoint/Optane,以及高容量3D NAND存储器产品上市,作为提高客户端和服务器平台产品市场竞争力,以及 形成市场差异化的要素。
英特尔与美光在新一代3D Xpoint产品开发达成分家协议,但美光仍看好,资料中心将受到异质运算比重增加,带动存储器需求也可望增加6倍,内部规划将 推出更高容量的3D XPoint存储器目前正与客户进行测试中,主要应用市场将锁定于资料中心,近期也可望对外发布新进展。
供应链认为,尽管2019年下半资料中心的存储器库存水位开始降低,但回升速度并不如预期强劲,主要仍受到短期市场前景不明的影响,但2020年5G技术 即将铺天盖地展开,资料中心建置与升级需求将重回成长动能,虽然成长复苏的力道是否如同往年强劲仍有待观察,但储存存储器已成为兵家必争之地。
挟着资料中心布局优势的英特尔已推出3D XPoint/Optane、美光也即将新一代3D XPoint、三星Z-NAND以及SK海力士旗下与英特尔相似的3D XPoint(硫族 化合物;chalcogenide)以及东芝存储器开发的XL-Flash等都将重兵部署,2020年将可望在资料中心及高阶商用市场再掀起版图争夺战。
江苏时代芯存半导体有限公司(AMT)也将在本月发布第一款相变存储产品,这将是国内首款商业化量产的相变存储产品,同时AMT的大容量相变存储产品也在紧锣密鼓地研发之中。随着2020年5G商用技术铺天盖地的展开,数据中心的需求将拉动新一代存储使用的增长,这是新型存储器发展的的契机和机遇,新型存储的发展已经成为兵家必争之地,未来我们将拭目以待!
文:电子产品世界
排版:张乐辰
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