预测：存储级内存（SCM）将取代 NAND和DRAM 闪存 ！

  根据2019年1月28日《半导体行业观察》报道，HPE旗下3PAR存储部门副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测：存储级内存SCM克服了NAND闪存的局限性，其既能够像NAND闪存那样掉电不易失保存内容，又兼具DRAM的速度，其终将取代闪存成为首选的高速存储介质。

什么是SCM介质?SCM(Storage Class Memory)是当前业界非常热门的新介质形态，同时具备持久化(Storage Class)和快速字节级访问(Memory)的特点。SCM介质发展现状：目前在研的SCM介质种类繁多，但是比较主流的有4个大类： PCM、ReRAM、MRAM和NRAM，当前在产业化方向上PCM（相变存储器）最为成熟。

因特尔（Intel）2018年3月28日推出借助于PCM技术生产的非易失性Optane （傲腾）存储产品，主要用来搭配传统HDD/SSD硬盘，为系统加速。Intel官方表示，配备傲腾内存之后，微软Outlook等应用软件的启动速度可以提高接近6倍，Chrome浏览器启动速度提高5倍，游戏启动速度提升67％，关卡载入速度提升65％。换言之，未来你的PC系统内，无论内存（NAND、DRAM）、硬盘还是缓存盘，都可以由Intel Optane系列存储包办！世界存储器市场越来越快进入PCM时代！

文中也明确指出，目前掌握新一代存储技术SCM仅有三星和因特尔两家，而AMT（江苏时代全芯存储科技股份有限公司）战略性瞄准新一代PCM相变存储技术，已在此领域深耕10年，是继三星和因特尔之后第三家掌握相变存储技术的公司，2019年产品即将下线，无论是从国内还是国际未来市场看，发展基于PCM等技术的存储介质都是对存储级内存战略方向最好的把握，中国大力发展PCM存储技术将是集成电路产业最好的突破和赶超。（路易）